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相衬显微显微镜和多光束干涉研究SiC晶体表面结构
碳化硅中位错的运动和多型性
用相衬显微术和多光束干涉法研究了大量 SiC晶体的表面结构，
其中一些SiC晶体曾以X射线鉴定过，是两种或多种多型的混合物，
除了引起单位滑移的单位 位错的运动之个，又获得了与复分子蜷
线的观测一致的巨型位错源的作用实验证据，在这类位错源中，扫
位错的滑移面象位错结蜷线那样地转动。
SiC晶体结构与晶面上所看到的生长蜷线的比
较揭示了生长蜷线的
梯阶高度等于或倍于沿c轴的X射线重复距离，SiC和其他少数晶体
上的蜷线生长图谱曾经以螺型位错理论来解释，因为已经确定，蜷
线中心就是位错的露头点，所发目前可以鉴定个别位错的各种性质
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