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晶体生长位错理论实验研究科研显微镜厂商
众所周知，位错借其运动在晶体形变方面起着重要的作用，曾经
看到绿柱面上的某些生长形貌，在此可以推断出位错的运动。
亦分别在银和对一三十九烷晶体的生长图谱上看到了类似变化，
根据这些情况推断，只应发生单位滑移，呈现出各种蜷线标记，这
些标记是单分子和复分子的，是圆形和多边形的，是交机的并且也
是带直线的，因而SiC以适应研究位错运动著称，我们承担的本研
究已经揭示了SiC中存在的位错的本性，并且也认为纯螺型位错的
概念并不能解释所有的生长形貌，引入螺型位错与刃型位错的组合
，有可能对若干生长形貌加以解释，依据晶体生长位错理论，已经
把这种观点用来解释多型性和现象。
晶体生长位错理论认为，一生长晶体由于含有位错的缘故吸能增
加其厚度，若一位错横越-晶体表面而运动时，就会升起一个滑移
梯阶，倘若生长梯阶的结构与运动位错的结构相同，这就会使生长
梯阶的排列成为沿滑移梯阶的弯结形状。
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