西城动态光学显微分析仪器观察金属试样

作者：发布时间：2022-07-02 20:50:09点击：996

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动态光学显微分析仪器观察金属试样

探讨的子劈技术中，系旨于研究以阶段同顺序的氢与氦子布植取代单阶段的氢子布植，

所造成矽（100）试样表面的发泡与发泡破

现象以及试样内部缺陷的演化情形，并与只有单一阶段氢子布植的结果进

交互比较。所使用的特性测分析仪器包括：

动态光学显微分析仪器、曼光谱仪、二次子质谱仪、以及穿透式电子显微镜。

结果显示：同顺序的阶段子布植造成一样的缺陷分布情形，也使得在使用特性测仪器所观察到的现象

大相同。加入氦子布植的试样在经退火后，其试样内部出现有明显的长条

缝，此一缝的生成是为绝缘体上矽薄膜能否成功转移的重要关键，是以添加氦

子的阶段子布植可以较单阶段氢子布值提高制作绝缘体上矽的成功

机。本文所使用的阶段氢与氦子布值试样经由适当的晶圆接合以及退火

制程皆可得到绝缘体上矽结构，其中，氦先布值（即He＋H）者其薄膜转移的

面积高于氦后布值（即H＋He）者，绝缘体上矽薄膜的表面粗糙亦是前者优

于后者。总结而言，前者为较佳的制程

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