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微晶源元件工艺构成电路的材料检测显微镜
薄膜有源元件
薄膜有源元件比半导体集成电路难以实现的原因，主要是生
长薄膜晶体很困难。用物理淀积法生长的薄膜，一般是微晶的集
合体或无定形薄膜，并且淀积薄膜有源元件的基片一般是具有高
绝缘性能的异质材料。用微晶或无定形薄膜构成的有源元件，在
几个必要条件方面比用单晶构成的有源元件差，膜的重复性和可
控性也都不能令人满意。因此，可以说若干有关薄膜有源元件的
研究工作都没有完成。所以这里只限于介绍过去熟知的薄膜有源
元件的研究工作。
用阳极氧化法从氮化钽薄膜也同样可以获得氧化钽，但其介
电常数随着氮化度的增加而减少。氮化钽膜的阳极氧化膜，其介
电常数约为钽的氧化膜的50％，氮化度增加形成TaN时，就不
能再用阳极氧化法了。氧化钽电容器的构成方法是：用电子束或
溅射法淀积钽膜，将其一面电解氧化，在氧化钽膜上覆盖铝或金
作为上电极，而在氧化钽膜下侧的剩余钽金属膜则作为下电极。
氧化钽电容器可以采用和钽薄膜电阻相同的工艺构成。氧化钽作
为膜集成电路的材料．用途最广。
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