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镀覆离子镀覆制造工艺表面粗糙度测量显微镜
薄膜元件的制造工艺
薄膜淀积工艺
薄膜材判的淀积方法，可以举出真空蒸发、溅射、电解氧化、
镀覆和化学气相淀积(简称CVD)等方法。真空蒸发及溅射法也
叫物理气相淀积法(简称PVD法)，是最常用的一种薄膜淀积方
法。最近，离子镀覆法、离子束淀积法及分子束蒸发法等新的物
理淀积法正处在研究和发展之中，借助于新的物理淀积方法或良
好的控制手段，可望生长出薄膜晶体。
电解氧化法主要是对钽、钛和铝等金属的电化学表面氧化法，
以形成针孔少的介质或绝缘覆盖膜。电解氧化法是把要形成氧化
膜的金属材料作阳极进行电解氧化，因此又叫阳极氧化法。
镀覆法是一种历史悠久的薄膜形成技术，但也有问题：一是
对可镀覆的材料有很大的限制，二是因为镀覆是一个湿法过程，
存在对基片或已制成元件起化学反应及污染问题，所以制造膜集
成电路时，一般只用于有限几种材料的镀覆，如金等。
CVD(化学气相淀积)法，主要用于半导体衬底表面的外延，
即淀积半导体晶体的薄层。
此外，还有用紫外线使有机物气体发生聚合反应等方法，
真空蒸发法真空蒸发法与水壶中的水受热蒸发后碰
上周围冷的物体再次成为水滴而析出的情况类似。金属和介质等
薄膜元件材料，因蒸气压比水低，所以要使之在空气中蒸发是困
难的。此外，使这些材料在空气中蒸发时，还存在许多不良问题，
如氧化或者生成膜的纯度降低等。
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