国产显微镜排名绒面革的质地如何影响黑硅太阳

大家好，这里是老上光显微镜知识课堂，在这里你可以学到所有关于显微镜知识，好的，请看下面文章： 采用等离子体浸没离子注入技术成功地制备了不同绒面结构的多晶黑硅，研究了不同绒面结构的多晶黑硅的表面结构、反射率和内量子效率。用原子力显微镜(AFM)、分光光度计和量子效率测试仪研究了不同条件下黑硅表面形成的纳米级峰的平均高度为150～600nm，随着峰高的增加，反射率降低。在300～1100nm的波长范围内，电池内量子效率（IQE）降低，更佳峰高、电池效率和短路电流密度分别为300nm、15.99％和34mA/cm2。
    
     众所周知，由于大气折射率和接触表面的折射率的突然变化，去除机械损伤层后硅片的表面反射率高达40％，降低硅片的表面反射率，提高光吸收率是很重要的。提高多晶硅电池转换效率的蚂蚁方向。在硅片上沉积具有过渡折射率(如SiNx)的抗反射涂层是减少反射的有效方法，但是表面纹理是更稳定和有效的方法。在碱性溶液中，通过各向异性腐蚀制备单晶硅。硅片表面的锥形结构可有效降低硅片表面的反射率，但多晶硅是不规则的、各向同性的，在碱性溶液中，在酸性溶液中，多晶硅酸不能形成羊绒。s约25%，反射光的损失仍然很大。
    
     为了进一步降低多晶硅片的表面反射率，人们已经尝试和研究了许多打桩的方法，在硅片表面制备纳米结构有效地降低了反射率。硅晶片看起来是黑色的，被称为黑色硅。利用飞秒激光成功地制备了黑硅，并验证了其转换效率高于非羊绒硅电池，部分金属催化湿化学蚀刻法也可以制备出黑硅，电池效率可达12-14%。反应离子刻蚀（RIE）技术广泛应用于黑硅的制备。证实了去除表面缺陷的RIE内衬太阳能电池的短路电流密度高于湿化学电池。结果表明，RIE羊绒多晶黑硅电池的效率高达16.32%{11}。在以往的研究中，采用等离子体浸没离子注入(PIII)技术成功地制备了多晶黑硅，并对其表面微观结构和反射率进行了研究。采用PIII法制备了多晶黑硅，研究了电池群结构对电池电性能的影响。
    
     156mm，P掺杂，厚度20020m，电阻率1-3。首先在10%NaOH浓度下，在80浓度下去除硅片的机械损伤，然后用PIII方法制备不同条件下的天鹅绒（表1）。在2%盐酸和10%HF中加入nd氧化物，在825℃下进行POCl3扩散，然后在10%HF溶液的体积分数下刻蚀边缘，除去磷硅玻璃，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积的SiNx厚度为80nm，折射率为2.05。最后，采用丝网印刷和烧结法制备电池。
    
     用原子力显微镜(AFM)研究了黑硅表面的微观结构和表面积,用积分球型紫外-可见-近红外分光光度计(Varian Cary 5000)测量了300～1100nm波长硅片表面入射光的反射率。用四探针测试硅片的方电阻，用内量子效率测试仪（太阳能电池扫描仪100）测试电池的智商，用JR-1250型太阳能电池I.V测试分选仪测试电池在25℃和AM1.5温度下的太阳光谱电性能。用场发射扫描电子显微镜（FESEM）JEOL JSM-7000 1F研究了Ag－Si接触的截面。
    
     图1是抛光硅和C1，C3，C5的照片。我们成功地制备了表面纹理均匀的黑色硅，并且反射率随着C1到C5条件的改变而降低。用原子力显微镜研究了黑硅的表面形貌。实验条件为C1、C2、C3、C4和C5，峰高分别为150nm、220nm、300nm、450nm和600nm，C5小峰的横向尺寸大于C1。AlC1、C3、C5。在蚀刻离子SF_x^+(x5)、F+和掩模.OyFz的作用下，形成黑色硅的绒面革表面。
    
     图3是C1～C5的反射率比较，同时对酸性丝绒多晶硅的反射率进行了比较，发现C1～C5的反射率依次降低。在300～1100nm范围内，C1改性羊绒的反射率远低于酸性羊绒，可用有效介质近似理论解释黑硅的抗反射作用，黑硅丘的横向尺寸约为100nm。通过多次反射和衍射，有效地降低了硅片表面的反射率，可见，入射光在硅片表面的反射时间增加了许多小峰，当山峰的大小接近入射波长时，硅片表面的反射时间增加。条件C1～C5，随着坡高的增加，多次反射和干涉的影响更加明显，导致反射率下降。
    
     为了研究电池的减反射效果，测量了沉积有SiNx薄膜的硅片的表面反射率（图3）。在波长范围600nm-1100nm范围内，反射率约为2%，因此可以通过纳米结构在黑硅表面与SiNx层的相互作用来降低电池的反射率。
    
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