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FESEM扫描电子显微镜样品制备的要求
场发射扫描电子显微镜（FESEM）
样品制备注意事项
1.本仪器拒绝接受高分子、生物试片、强磁性物质以及含有毒性、腐蚀性、挥发性、低熔点等物质之样品。
2.粉体样品需先经表面处理，确定黏附牢固于基座上，再送至实验室检测。
3.样品若含水气，请先以120°C烘烤除气后，再送至实验室检测。
4.若样品具微弱磁性，请先告知操作员以判断正确处理方式。
5.样品大小限制：直径< 100 mm，高度< 40 mm
实验所成长的薄膜具有ZnO［001］的优先取向，射频功率175 W制程有较佳的结晶性。然而在射频功率
175 W制程退火后结晶性变差，≦150 W制程仍维持在一定的结晶品质。使用氮气退火处理有助
于缓和成长薄膜所造成的应力，将有助于降低晶界与晶界之间的杂质或缺陷存在。
ZnO：Sb薄 膜在氮气下退火处理，发现近紫外光波长穿透率有明显获得改善。藉由吸收常数与入射光子能
量之关系式，估计能带隙大约在3.37 eV。未退火处理前，成长的薄膜都呈现n型导电特性。然
而，ZnO：Sb薄膜在150 W制程400 ℃与500 ℃ 退火处理，ZnO：Sb薄膜由原本的n型转变为p型
导电特性，尤其以500 ℃退火之p型较为显着。其载子浓度约为1018−1019 cm-3 ，载子迁移率为
0.1−2.3 cm2/V s，电阻率则为0.1−14.8 Ωcm
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