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利用显微镜观察矽晶片表面的金属网结构
逐步改变蚀刻浓度条件，并利用显微镜观察其结果
单晶矽制作金字塔结构，在传统上利用氢氧化钾于矽晶片上产生非等向性蚀刻，
以制作金字塔反射结构。由于，反应进行时会于矽晶片表面释放出氢气，
所以通常会于溶液中加入异丙醇来降低气泡所带来的影响。在本研究中，
利用适当开口尺寸的金属网目，放于矽晶片表面，
如同遮蔽物般将离开矽晶片表面的气泡捕捉于网目之间，
这使得非等向性蚀刻反应进行时所产生的气泡转为气态遮罩。
利用这个方法，成功的制作出3μm ~ 8μm的金字塔结构，
而400nm ~ 1000nm不同波长的反射率量测平均值小于18%。
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