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金属溶液厚度为几个微米的数量级的外延层测量
阐述了一种从金属溶液中生长薄而光亮外延层的新方
法。将较冷的衬底浸渍到较热的溶液中去，无需调节所需要
的温度控制，就可以得到自校准的生长。用这种瞬态法或
“快浸”法生长的外延层的水平和形貌取决于初始的热分布
和后来的热条件。为了进一步控制外延层厚度，在完成一个
温度周期前，就可取出样品。已经证实可用此法来生长薄的
砷化镓外延层。厚度为几个微米的数量级的外延层是在短于
一分钟的条件下生长的。一般说来，此法还可以用来从金属
溶液中生长其它材料。
虽然个液相外延系统是为重掺杂材料设计的，但是，所
有这些技术均能生产非常纯的材料，每一个方法都达到了高度
成熟的阶段。
对于生长高纯外延层，采用水平和立式两种系统；然而，现
在感到立式反应器能较好地控制温度，因此能生长出更为均匀的
外延层。而在生长100微米厚的外延层时，均匀性特别重要。瞬
态生长程序从根本上说仅限于生产几个微米的薄层，因而主要用
于制备重掺杂的接触层或者具有突变界区的结。水平系统一般是
优先用在生长1～10微米厚的优质层上。
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