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反光相衬对于微小的表面梯阶的观察是一种适宜的技术
柏氏失量含有C分量的位错
从相当的点阵扭曲的测量中已经测定了若干4H型碳化硅晶须中轴
位错的柏氏失量的分量大小，这些观察使柏氏失一的C分量与从生
长蜷线的梯阶高度求得的分量相符，我们以X射线衍射显微术对所
生长的一颗特别大的4H晶须中的螺型位错进行了研究，结果表明没
有从面衍射的，与轴位错有关的衬度，但是有从面衍射的明显的衬
度，这种情况表明，轴位错是柏氏失量的纯螺型位错，同样柏氏失
量方向应该在6H结构中产生。
晶体生长与位错实验方法
反光相衬对于微小的表面梯阶的观察是一种适宜的技术，特别是
如果晶面是以高真空蒸发镀了银的话，若采用最适宜的条件，以这
种方法可以观察小到7.5A的清晰梯阶。
梯阶的高度是由条纹横截一梯阶或横截一已知梯阶数时的位移推
导出来的，事实上我们能够测量由于数目已知的大量的相等梯阶所
产生的位移，因而使我们有可能计算一个7A的梯阶到1A甚至0.
5A。
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