西城穿透式电子显微镜观察薄膜的显微结构-上海光学仪器厂

作者：发布时间：2022-07-02 20:56:04点击：1158

信息摘要：

大家好，这里是老上光显微镜知识课堂，在这里你可以学到所有关于显微镜知识，好的，请看下面文章：穿透式电子显微镜观察薄膜的显

大家好，这里是老上光显微镜知识课堂，在这里你可以学到所有关于显微镜知识，好的，请看下面文章：

穿透式电子显微镜观察薄膜的显微结构

以电浆辅助化学束磊晶法在氮化镓（GaN）磊晶膜上成长氮化铟（lnN）磊晶薄膜。

透过穿透式电子显微镜观察与分析在成长温度为450℃、500℃与550℃时所得之InN磊晶薄膜的显微结构。

在450℃下所成长之InN薄膜，表面粗糙且薄膜并非一个完美的磊晶薄膜。InN磊晶薄膜在500℃左右时具有最快的成长速率，

其薄膜最厚，缺陷密度更高，但薄膜表面相对较为平坦。成长温度为550℃所得之InN磊晶薄膜已开始产生空孔，

表面平坦度比起500℃之InN磊晶薄膜要来得差。在晶体缺陷部分，InN磊晶薄膜中主要的面缺陷是位移向量为1/6〈2203〉的基面叠差，

线缺陷则是布格向量为b = 1/3 〈1120〉的差排。

网站网友点击量更高的文献目录排行榜：点此链接关注页面底部公众号，开通以下权限：一、获得问题咨询权限。二、获得工程师维修技术指导。三、获得软件工程师在线指导 toupview,imageview,OLD-SG等软件技术支持。四、请使用微信扫描首页底部官主账号！

本文标签：

联系电话