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影响AFM电子显微镜量测误差的原因简介
双倾斜之影像叠合法量测100nm以下线宽技术研究
探讨使用原子力显微镜(Atomic Force Microscope, AFM)进行次微米级线宽量测，提出以双倾斜叠合法量测线宽(Critical Dimension, CD)，
本研究发展此技术同时能应用于奈米结构之3D尺寸量测。
影响量测误差的要因，除了一般AFM会碰到的问题(如量测追溯之不确定度及AFM量测热漂移等)，也有探头下针磨耗、探针量测磨耗、探
针半径补偿之误差、影像叠合误差等因素。由双倾斜叠合法量测CD线宽实验，量测结果与TEM量测比较，二者约有2.2 nm~2.8 nm偏差量。
在半导体工业发展上，关键尺寸(Critical dimension, CD)已跨入100 nm以下，次100 nm的半导体传输线的外形(shape)对电的传输效应不可忽略，
因而半导体结构关键外形(critical shape)越来越重要，一般把关键外形分为四部分：Top CD、Bottom CD、Height与Side-wall Angle(SWA)四个关键外形参，
我们称此四者为关键尺寸；值得注意的是随着半导体制程线宽的缩小，未来为了更準确量测关键外形，待测参数的数目将会增加，如LER(Line Edge Roughness)
与LWR(Line Width Roughness)。
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