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当1962年由哈隆亚克（Nick Holonyak）发明了世界上个可见光的发光二极体（Light Emitting Diode，LED）
，接着在1968年美国的孟山多（Monsanto）和惠普（Hewlette Packard , HP）公司相继推出磷砷化镓
（GaAsP）红光发光二极体。之后的1970和80年代，以磷化镓
（GaP）、砷化镓铝（AlGaAs）、砷化镓（GaAs）、磷砷化铟镓（InGaAsP）…等材料为主，
其发光范围在红、黄、绿光的发光元件，有相当程度的进展，且有很好的发光效能，且应用在电子计算器、
资讯显示板、户外广告看版…等。而氮化镓（GaN）、硒化锌（ZnSe）
和碳化矽（SiC）等蓝色发光元件，发展缓慢，为了达到可见光全波段的显示，
蓝光材料成为一个重要的课题。其中的碳化矽因为是间接能隙材料，因此要得到高亮度的发光非常不容易。
硒化锌所制成的发
光元件的寿命不长。而氮化镓虽是直接能隙，但一直没有晶格匹配的
基板，成长不出好的晶体，所以发光效率一直不好
起初对于氮化铟镓材料的研究，发现以此材料做为发光层时，在没有刻意控制成长品质时，
其发光效益特别好，因此便吸引了很多人的注意。加上为了开发紫、蓝、绿光元件，所以主要研究偏重在铟含
量在 30 %以下的氮化铟镓。经过数年的研究认为，氮化铟镓在磊晶过程中，
其成份的比例会有一定程度的扰动，而且容易形成富铟含量的簇（In-rich clusters），
而这些簇较容易侷限住载子，使得其发光效益变好。有理论计算认为铟掺入氮化镓，形成氮化铟镓，其中铟的溶
解上限比例只有 6 %超过此上限，铟会有不溶的现象。
所以在铟含量大于 6 %以上的氮化铟镓材料，其磊晶层（epilayer）皆会有成份扰动的现象
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