房山Si相同的实验方法也进行了一些C地Ge中溶解度的测量

作者：发布时间：2022-07-02 20:01:56点击：258

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Si相同的实验方法也进行了一些C地Ge中溶解度的测量，

用与Si相同的实验方法也进行了一些C地Ge中溶解度的测量，

在实验数据的基础上一幅设想的Ge-C相图，在3170℃时溶解度达

到12%，此时Ge的蒸汽压力为几个大气压、没有化合物形成，由

这些数据可以粗略地外推至Ge的熔点，C在液体Ge中的溶解度为1

0C/厘米Ge的数量级。

现在硅、锗半导体被应用于极大多数的半导体器件中，近年来

许多致力于碳化硅与硅-诸合金的研究结果获得了新的，有用的

半导体材料，从研究半导体材料的观点出发。其性能的连续变化

是介在纯硅与纯诸之间，这样就可能当三无化合物或固溶体存在

时，它们也可能具有与这些元素相似的有用的性能。

因为这一三系在颇大的成分范围内进行实验时存在着困难，所

以这一系统的实验工作实际上是末进行过，由于三元系缺乏实验

数据，因此应用已有二元系的资料提出三元系相关系的一些合理

的观念，这些资料简要地复述于下面对于与三元系有直接影响的

二元相关系的末定区域给予了特别的注意。

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