在线留言
网站地图 
RSS
您好，欢迎访问老上光仪器总厂网站！
联系地址：北京市海淀区上地信息路信息产业三街
联系电话 
152 0116 0776 / 400-811-7895
形成的方石英层厚度和形成时间-测量电子显微镜
表明就锗而论杂质层对于点接触整流不是必需的，但是，SiC层
对其他的电性测量也许是十分重要的，例如，从SiC的加有反向偏
压的结测量电子发射时，于空气中800℃加热小时能够压抑电子发
射，因为能够设想这些表面在加热前至少有一个氧单分子复盖层，
则这种压抑必然和较厚薄膜的形成相联系。
在比较低的温度下，可以得到直线，在这些温度所得到的反应产
物SiC，为无定形二氧化硅，证明二氧化硅的无定形性质是利用X射
线衍射方法，在1200℃以上无定形二氧化硅薄膜在诱导期过后转化
成方石英，这也是利用x射衍射方法来证实的，从无定形二氧化硅
至方石英的转化是相应于曲线的斜率变化。
形成的方石英层厚度和形成时间与文中所发现的数值是一致的
，成核速率与文中记录数据相比较是地小，这可能是由于系统极为
干燥的缘故，小量水蒸气的存在是会加速成核的速率的。
为了测定可能的机理，进行了氧分压对氧化速率影响的研究，发
现当氧浓度增加时速率增加，说明了这部分研究的结果，这些等温
线利用方程式可以吻合，但是利用方程式所得到的平衡常数数值是
不合理的，因而，图的吻合似乎是偶然的。
碳化硅的内杂质从99%纯度变化至杂质小于320p.p.m并不显著地
影响氧化速率。
网站网友点击量更高的文献目录排行榜：
点此链接
关注页面底部公众号，开通以下权限：
一、获得问题咨询权限。
二、获得工程师维修技术指导。
三、获得软件工程师在线指导
toupview,imageview,OLD-SG等软件技术支持。
四、请使用微信扫描首页底部官主账号！ 
客服1